casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RV2C002UNT2L
codice articolo del costruttore | RV2C002UNT2L |
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Numero di parte futuro | FT-RV2C002UNT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RV2C002UNT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 (VML1006) |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RV2C002UNT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RV2C002UNT2L-FT |
RQ6E050ATTCR
Rohm Semiconductor
RRQ020P03TCR
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RTQ020N05TR
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A3PE600-1FG256I
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