casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RV2C002UNT2L
codice articolo del costruttore | RV2C002UNT2L |
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Numero di parte futuro | FT-RV2C002UNT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RV2C002UNT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 (VML1006) |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RV2C002UNT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RV2C002UNT2L-FT |
RQ6E050ATTCR
Rohm Semiconductor
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor
RTQ020N05TR
Rohm Semiconductor
RQ6L020SPTCR
Rohm Semiconductor
RAQ045P01TCR
Rohm Semiconductor
RQ6C050BCTCR
Rohm Semiconductor
RQ6C065BCTCR
Rohm Semiconductor
RQ6E035ATTCR
Rohm Semiconductor
RQ6E045BNTCR
Rohm Semiconductor
RQ6E055BNTCR
Rohm Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel