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Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR

Numero parte MFG
RQ6E055BNTCR
quantità disponibile
71900 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.17732
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RQ6E055BNTCR specificazioni

codice articolo del costruttore RQ6E055BNTCR
Numero di parte futuro FT-RQ6E055BNTCR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RQ6E055BNTCR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ6E055BNTCR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RQ6E055BNTCR-FT

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