casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ6E035ATTCR
codice articolo del costruttore | RQ6E035ATTCR |
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Numero di parte futuro | FT-RQ6E035ATTCR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ6E035ATTCR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ6E035ATTCR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ6E035ATTCR-FT |
RUM003N02T2L
Rohm Semiconductor
RUM002N02T2L
Rohm Semiconductor
RYM002N05T2CL
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RTM002P02T2L
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RUM002N05T2L
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RSM002N06T2L
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RSM002P03T2L
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RZM002P02T2L
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RRL035P03TR
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RSL020P03TR
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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