casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RU 3BV1
codice articolo del costruttore | RU 3BV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RU 3BV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RU 3BV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 3BV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU 3BV1-FT |
RM 1C
Sanken
RM 1CV
Sanken
RM 1CV1
Sanken
RM 1V
Sanken
RM 1V1
Sanken
RM 1Z
Sanken
RM 1ZV
Sanken
RM 1ZV1
Sanken
RM 2
Sanken
RM 2A
Sanken
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel