casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RM 1ZV1
codice articolo del costruttore | RM 1ZV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RM 1ZV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 1ZV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 1ZV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 1ZV1-FT |
RL101-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL101-TP
Micro Commercial Co
RL102-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel