codice articolo del costruttore | RM 1Z |
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Numero di parte futuro | FT-RM 1Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 1Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 1Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 1Z-FT |
RL101-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL101-TP
Micro Commercial Co
RL102-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation