casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6030KNZC8
codice articolo del costruttore | R6030KNZC8 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R6030KNZC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030KNZC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030KNZC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6030KNZC8-FT |
RQ1A060ZPTR
Rohm Semiconductor
RQ7E055ATTCR
Rohm Semiconductor
RQ7E110AJTCR
Rohm Semiconductor
RQ1A070APTR
Rohm Semiconductor
RQ1A070ZPTR
Rohm Semiconductor
RQ1C065UNTR
Rohm Semiconductor
RQ1C075UNTR
Rohm Semiconductor
RQ1E050RPTR
Rohm Semiconductor
RQ1E070RPTR
Rohm Semiconductor
RQ1E100XNTR
Rohm Semiconductor
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel