casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6030KNZC8
codice articolo del costruttore | R6030KNZC8 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R6030KNZC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030KNZC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030KNZC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6030KNZC8-FT |
RQ1A060ZPTR
Rohm Semiconductor
RQ7E055ATTCR
Rohm Semiconductor
RQ7E110AJTCR
Rohm Semiconductor
RQ1A070APTR
Rohm Semiconductor
RQ1A070ZPTR
Rohm Semiconductor
RQ1C065UNTR
Rohm Semiconductor
RQ1C075UNTR
Rohm Semiconductor
RQ1E050RPTR
Rohm Semiconductor
RQ1E070RPTR
Rohm Semiconductor
RQ1E100XNTR
Rohm Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel