casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6024KNZC8
codice articolo del costruttore | R6024KNZC8 |
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Numero di parte futuro | FT-R6024KNZC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6024KNZC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6024KNZC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6024KNZC8-FT |
RQ7E110AJTCR
Rohm Semiconductor
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A54SX32A-1TQG144
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A3P600L-1FGG484
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Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
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5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel