casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3D V6G
codice articolo del costruttore | RS3D V6G |
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Numero di parte futuro | FT-RS3D V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3D V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3D V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3D V6G-FT |
ES2FHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel