casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3B V6G
codice articolo del costruttore | ES3B V6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3B V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3B V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3B V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3B V6G-FT |
RS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel