casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2J M4G
codice articolo del costruttore | ES2J M4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2J M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2J M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2J M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2J M4G-FT |
MUR320SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR320SBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel