casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2JAHR3G
codice articolo del costruttore | RS2JAHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS2JAHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2JAHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2JAHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2JAHR3G-FT |
SS29L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel