casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS310L R3G
codice articolo del costruttore | SS310L R3G |
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Numero di parte futuro | FT-SS310L R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS310L R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS310L R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS310L R3G-FT |
RSFBL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel