casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS29LHR3G
codice articolo del costruttore | SS29LHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-SS29LHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS29LHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS29LHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS29LHR3G-FT |
RSFALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel