casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS29LHR3G
codice articolo del costruttore | SS29LHR3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS29LHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS29LHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS29LHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS29LHR3G-FT |
RSFALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel