casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS120-E3/5BT
codice articolo del costruttore | MURS120-E3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-MURS120-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS120-E3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS120-E3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS120-E3/5BT-FT |
UH1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1CHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1CHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel