casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS160-E3/5BT
codice articolo del costruttore | MURS160-E3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-MURS160-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS160-E3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS160-E3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS160-E3/5BT-FT |
SS26SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA24HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA24HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA33LHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA33LHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.