casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3BJ-M3/52T
codice articolo del costruttore | AS3BJ-M3/52T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AS3BJ-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS3BJ-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BJ-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3BJ-M3/52T-FT |
SSA33LHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel