casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01JR33TB
codice articolo del costruttore | RR01JR33TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01JR33TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01JR33TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 330 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01JR33TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01JR33TB-FT |
ROX3SJ1R8
TE Connectivity Passive Product
ROX2SF1R8
TE Connectivity Passive Product
RR01J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR02J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR02J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
RR01J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
CBT25J1M5
TE Connectivity Passive Product
CBT50J1M5
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation