casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J1R6TB
codice articolo del costruttore | RR01J1R6TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01J1R6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J1R6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.6 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J1R6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J1R6TB-FT |
RR03J11KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J110KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J110KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J110KTB
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RR02J110RTB
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RR03J11RTB
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RR01J11RTB
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A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel