casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J1K6TB
codice articolo del costruttore | RR01J1K6TB |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RR01J1K6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J1K6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.6 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J1K6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J1K6TB-FT |
RR02J12RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J12RTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1SF12R
TE Connectivity Passive Product
RR01J11KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J11KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J11KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J110KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J110KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J110KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J110RTB
TE Connectivity Passive Product
LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel