casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01JR30TB
codice articolo del costruttore | RR01JR30TB |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RR01JR30TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01JR30TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 300 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01JR30TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01JR30TB-FT |
RR01J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR02J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J1K6TB
TE Connectivity Passive Product
RR02J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
RR01J1R6TB
TE Connectivity Passive Product
CBT25J1M5
TE Connectivity Passive Product
CBT50J1M5
TE Connectivity Passive Product
CBT25J1K5
TE Connectivity Passive Product
CBT50J1K5
TE Connectivity Passive Product
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel