casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RP1H065SPTR
codice articolo del costruttore | RP1H065SPTR |
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Numero di parte futuro | FT-RP1H065SPTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RP1H065SPTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT6 |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1H065SPTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RP1H065SPTR-FT |
SKI04044
Sanken
SKI06048
Sanken
SKI06073
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SKI06106
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SKI07074
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SKI07171
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SKI10195
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SKI10297
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SKP202
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel