casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SKI10123
codice articolo del costruttore | SKI10123 |
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Numero di parte futuro | FT-SKI10123 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SKI10123 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6420pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 135W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SKI10123 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SKI10123-FT |
STD5NK52ZD-1
STMicroelectronics
STD5NM60-1
STMicroelectronics
STD60NH03L-1
STMicroelectronics
STD6NM60N-1
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STD70N02L-1
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STD70N03L-1
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STD7NM50N-1
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STD7NM80-1
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STD8NM60N-1
STMicroelectronics
STD90N02L-1
STMicroelectronics
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel