casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SKI06106
codice articolo del costruttore | SKI06106 |
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Numero di parte futuro | FT-SKI06106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SKI06106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 28.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 650µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SKI06106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SKI06106-FT |
STD50N03L-1
STMicroelectronics
STD50NH02L-1
STMicroelectronics
STD5NK50Z-1
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STD70N03L-1
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STD7NM50N-1
STMicroelectronics
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel