casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN2712JE(TE85L,F)
- Numero parte MFG
- RN2712JE(TE85L,F)
- quantità disponibile
- 12240 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.07056
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RN2712JE(TE85L,F).pdf
RN2712JE(TE85L,F) specificazioni
| codice articolo del costruttore | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RN2712JE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN2712JE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-553 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ESV |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN2712JE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RN2712JE(TE85L,F)-FT |
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