casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1704JE(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1704JE(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1704JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1704JE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ESV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1704JE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1704JE(TE85L,F)-FT |
BCR183UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies
IMB1AT110
Rohm Semiconductor
IMB4AT110
Rohm Semiconductor
IMD14T108
Rohm Semiconductor
IMD1AT108
Rohm Semiconductor
IMD8AT108
Rohm Semiconductor
IMH14AT108
Rohm Semiconductor
IMH15AT110
Rohm Semiconductor
LFECP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-12F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45C3
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC4013XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation