casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV,L3F
- Numero parte MFG
- RN1119MFV,L3F
- quantità disponibile
- 43490 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.023184
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RN1119MFV,L3F.pdf
RN1119MFV,L3F specificazioni
| codice articolo del costruttore | RN1119MFV,L3F |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RN1119MFV,L3F |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN1119MFV,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1119MFV,L3F Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RN1119MFV,L3F-FT |
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