casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJY4006R
codice articolo del costruttore | FJY4006R |
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Numero di parte futuro | FT-FJY4006R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJY4006R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJY4006R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJY4006R-FT |
PDTA113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA114ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTA114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTA123JT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123JTVL
Nexperia USA Inc.
PDTA123TT,215
Nexperia USA Inc.
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF27C8
Intel
10M04DCF256C7G
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
LFXP3C-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation