casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJY4009R
codice articolo del costruttore | FJY4009R |
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Numero di parte futuro | FT-FJY4009R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJY4009R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJY4009R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJY4009R-FT |
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA114ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTA114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ETVL
Nexperia USA Inc.
XA6SLX25-3FTG256Q
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel