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Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT(TPL3)

Name: RN1112ACT(TPL3)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1112ACT(TPL3)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (27 reviews)

Numero parte MFG: RN1112ACT(TPL3)

quantità disponibile: 15720 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RN1112ACT(TPL3).pdf

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RN1112ACT(TPL3) specificazioni

codice articolo del costruttore	RN1112ACT(TPL3)
Numero di parte futuro	FT-RN1112ACT(TPL3)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RN1112ACT(TPL3) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	-
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore	CST3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1112ACT(TPL3) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RN1112ACT(TPL3)-FT

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