casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1102,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN1102,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN1102,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1102,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1102,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1102,LF(CT-FT |
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR112WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR116WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR116WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR119WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR119WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR129WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR129WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR133WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC484-1X
Intel
5SGXEA5N3F40C3N
Intel
EP4SE530H40C2N
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160A
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation