casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1102,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN1102,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN1102,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1102,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1102,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1102,LF(CT-FT |
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR112WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR116WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR116WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR119WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR119WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR129WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR129WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR133WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
EP4CGX75CF23I7
Intel
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
EP4CE10E22C9LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation
AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation