casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN2421(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN2421(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN2421(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2421(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2421(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN2421(TE85L,F)-FT |
BCR 148W H6433
Infineon Technologies
BCR108WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR112WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR116WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR116WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR119WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR119WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel