casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RL257GP-TP
codice articolo del costruttore | RL257GP-TP |
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Numero di parte futuro | FT-RL257GP-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL257GP-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R-3, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL257GP-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL257GP-TP-FT |
MS110/TR8
Microsemi Corporation
MS110E3/TR12
Microsemi Corporation
MS110E3/TR8
Microsemi Corporation
1N6663US
Microsemi Corporation
1N5811US
Microsemi Corporation
1N5554US
Microsemi Corporation
1N6643US
Microsemi Corporation
1N5822US
Microsemi Corporation
1N5553US
Microsemi Corporation
1N5419
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel