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Microsemi Corporation 1N5553US

Name: 1N5553US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1N5553US
Price: 10.44 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

Numero parte MFG: 1N5553US

quantità disponibile: 62820 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 10.44

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fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 1N5553US.pdf

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1N5553US specificazioni

codice articolo del costruttore	1N5553US
Numero di parte futuro	FT-1N5553US
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
1N5553US Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Corrente: media rettificata (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 9A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 800V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore	B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5553US Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	1N5553US-FT

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