casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6663US
codice articolo del costruttore | 1N6663US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N6663US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6663US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6663US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6663US-FT |
1N4154
Microsemi Corporation
1N4151
Microsemi Corporation
1N4449
Microsemi Corporation
1N4454-1
Microsemi Corporation
1N482B
Microsemi Corporation
1N484B
Microsemi Corporation
1N5194
Microsemi Corporation
1N5195
Microsemi Corporation
1N5196
Microsemi Corporation
1N648-1
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel