casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RL252GP-TP
codice articolo del costruttore | RL252GP-TP |
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Numero di parte futuro | FT-RL252GP-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL252GP-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R-3, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL252GP-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL252GP-TP-FT |
MS109/TR12
Microsemi Corporation
MS109/TR8
Microsemi Corporation
MS109E3/TR12
Microsemi Corporation
MS109E3/TR8
Microsemi Corporation
MS110/TR12
Microsemi Corporation
MS110/TR8
Microsemi Corporation
MS110E3/TR12
Microsemi Corporation
MS110E3/TR8
Microsemi Corporation
1N6663US
Microsemi Corporation
1N5811US
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel