casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MS109/TR8
codice articolo del costruttore | MS109/TR8 |
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Numero di parte futuro | FT-MS109/TR8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS109/TR8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS109/TR8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MS109/TR8-FT |
1N4153-1
Microsemi Corporation
1N5711-1
Microsemi Corporation
1N4150-1
Microsemi Corporation
1N5712
Microsemi Corporation
1N3595-1
Microsemi Corporation
1N3600
Microsemi Corporation
1N4446
Microsemi Corporation
1N4154
Microsemi Corporation
1N4151
Microsemi Corporation
1N4449
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel