casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK5013DPE-00#J3
codice articolo del costruttore | RJK5013DPE-00#J3 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK5013DPE-00#J3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK5013DPE-00#J3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 465 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-LDPAK |
Pacchetto / caso | SC-83 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK5013DPE-00#J3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK5013DPE-00#J3-FT |
RJL6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
2SK2315TYTR-E
Renesas Electronics America
RQK0607AQDQS#H1
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RJK60S7DPP-E0#T2
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RJK0703DPP-E0#T2
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RJK1001DPP-E0#T2
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RJK1002DPP-E0#T2
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RJK1003DPP-E0#T2
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RJK5012DPP-E0#T2
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RJK5013DPP-E0#T2
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A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
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