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Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1

Name: RQK0607AQDQS#H1
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RQK0607AQDQS#H1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (142 reviews)

Numero parte MFG: RQK0607AQDQS#H1

quantità disponibile: 33550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RQK0607AQDQS#H1.pdf

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RQK0607AQDQS#H1 specificazioni

codice articolo del costruttore	RQK0607AQDQS#H1
Numero di parte futuro	FT-RQK0607AQDQS#H1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RQK0607AQDQS#H1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UPAK
Pacchetto / caso	TO-243AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQK0607AQDQS#H1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RQK0607AQDQS#H1-FT

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