casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK1002DPP-E0#T2
codice articolo del costruttore | RJK1002DPP-E0#T2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RJK1002DPP-E0#T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK1002DPP-E0#T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1002DPP-E0#T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK1002DPP-E0#T2-FT |
RSD160P05TL
Rohm Semiconductor
RSD201N10TL
Rohm Semiconductor
R6004CNDTL
Rohm Semiconductor
R6004ENDTL
Rohm Semiconductor
R6006ANDTL
Rohm Semiconductor
RCD080N25TL
Rohm Semiconductor
RND030N20TL
Rohm Semiconductor
RSD200N05TL
Rohm Semiconductor
RSD220N06TL
Rohm Semiconductor
2SK2094TL
Rohm Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel