casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK4512DPE-00#J3
codice articolo del costruttore | RJK4512DPE-00#J3 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK4512DPE-00#J3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK4512DPE-00#J3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 510 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-LDPAK |
Pacchetto / caso | SC-83 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK4512DPE-00#J3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK4512DPE-00#J3-FT |
RJL5014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL5020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
2SK2315TYTR-E
Renesas Electronics America
RQK0607AQDQS#H1
Renesas Electronics America
RJK60S7DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0703DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1001DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1002DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1003DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel