casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSD200N05TL
codice articolo del costruttore | RSD200N05TL |
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Numero di parte futuro | FT-RSD200N05TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSD200N05TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSD200N05TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSD200N05TL-FT |
R6020FNJTL
Rohm Semiconductor
RSJ300N10TL
Rohm Semiconductor
2SK3019TL
Rohm Semiconductor
RZE002P02TL
Rohm Semiconductor
RYE002N05TCL
Rohm Semiconductor
RSE002N06TL
Rohm Semiconductor
RUE003N02TL
Rohm Semiconductor
RUE002N02TL
Rohm Semiconductor
RTE002P02TL
Rohm Semiconductor
RSE002P03TL
Rohm Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel