casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RCD080N25TL
codice articolo del costruttore | RCD080N25TL |
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Numero di parte futuro | FT-RCD080N25TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RCD080N25TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCD080N25TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RCD080N25TL-FT |
R6018ANJTL
Rohm Semiconductor
R6020ANJTL
Rohm Semiconductor
R6020FNJTL
Rohm Semiconductor
RSJ300N10TL
Rohm Semiconductor
2SK3019TL
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RZE002P02TL
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RSE002N06TL
Rohm Semiconductor
RUE003N02TL
Rohm Semiconductor
RUE002N02TL
Rohm Semiconductor
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation