casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSD131P10TL
codice articolo del costruttore | RSD131P10TL |
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Numero di parte futuro | FT-RSD131P10TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSD131P10TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSD131P10TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSD131P10TL-FT |
RE1E002SPTCL
Rohm Semiconductor
RE1L002SNTL
Rohm Semiconductor
RV1C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor
RJU003N03T106
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2SK3018T106
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RSU002P03T106
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RHU002N06T106
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RJU002N06T106
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RSU002N06T106
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation