casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSD050N10TL
codice articolo del costruttore | RSD050N10TL |
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Numero di parte futuro | FT-RSD050N10TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSD050N10TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 15W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSD050N10TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSD050N10TL-FT |
RE1C002UNTCL
Rohm Semiconductor
RE1J002YNTCL
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RE1C001UNTCL
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RE1C001ZPTL
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RE1C002ZPTL
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RV1C001ZPT2L
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