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Renesas Electronics America RJK0652DPB-00#J5

Numero parte MFG
RJK0652DPB-00#J5
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58780 pezzi
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore RJK0652DPB-00#J5
Numero di parte futuro FT-RJK0652DPB-00#J5
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RJK0652DPB-00#J5 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK0652DPB-00#J5 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RJK0652DPB-00#J5-FT

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