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codice articolo del costruttore | NP80N055MHE-S18-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP80N055MHE-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP80N055MHE-S18-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP80N055MHE-S18-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP80N055MHE-S18-AY-FT |
RCD075N19TL
Rohm Semiconductor
RCD075N20TL
Rohm Semiconductor
RCD100N19TL
Rohm Semiconductor
RCD100N20TL
Rohm Semiconductor
RDD020N60TL
Rohm Semiconductor
RDD022N50TL
Rohm Semiconductor
RDD022N60TL
Rohm Semiconductor
RDD023N50TL
Rohm Semiconductor
RDD050N20TL
Rohm Semiconductor
RK3055ETL
Rohm Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel