casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB521S30
codice articolo del costruttore | RB521S30 |
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Numero di parte futuro | FT-RB521S30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB521S30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523F |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB521S30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB521S30-FT |
IDH08SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH09G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH10G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH10G65C5ZXKSA1
Infineon Technologies
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies
IDH10S60CAKSA1
Infineon Technologies
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH12G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH12S60CAKSA1
Infineon Technologies
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel