casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH10SG60CXKSA1
codice articolo del costruttore | IDH10SG60CXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH10SG60CXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH10SG60CXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH10SG60CXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH10SG60CXKSA1-FT |
VS-20UT04
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS3010S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502ELE6327XTMA1
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BAS1602LE6327XTMA1
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BAS3005S02LRHE6327XTSA1
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BAS4002LE6327XTMA1
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BAS4002S02LRHE6327XTSA1
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BAS7002LE6327XTMA1
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BAT5402LRHE6327XTSA1
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IDD06E60BUMA1
Infineon Technologies
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
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5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
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XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
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EP3SE110F780I3N
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HC20K600BC652
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