casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH10G65C5XKSA1
codice articolo del costruttore | IDH10G65C5XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH10G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH10G65C5XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 340µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH10G65C5XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH10G65C5XKSA1-FT |
DHG60I1200HA
IXYS
DPF60IM400HB
IXYS
DPG60IM400QB
IXYS
DHF30IM600QB
IXYS
VS-20UT04
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS3010S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAS1602LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS4002LE6327XTMA1
Infineon Technologies
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel